1、三极管13001能代换13003吗？

我有个5V.1A的充电器，烧了一个10欧的电阻，一个1N4007，还有一个13003，请问能用13001代换么，后果会怎么，还会烧掉吗？

2、13003和13007开关三极管参数对比，麻烦知道的告知，谢谢！

他们都是低频管，13003的C极电流1.5A，CE耐压400V，CB耐压700V，13007也差不多，只是13007的C极电流达到8A。这个系列有13001、13002、13003、13005、13007、13009，其别就是C极的电流不一样。一般来说，电流大的可以替换小的，但是不是一定行，因为电路驱动能力是有限的，比如用13009替换13001，从性能上说，完全不存在问题。但是电路设计的时候驱动电流达到13001的值，但是未必达到13009的值，C极可以通过更大的电流，就要更大的驱动电流才行。

3、功率三极管SB13003和J13009参数是多少？两者可以代换吗？

SB13003：Vceo=400V；Vcbo=700V;Ic=1.5A；Pc=1.5W(不加散热器）50W（加足够散热器）

J13009：Vceo=400V；Vcbo=700V;Ic=12A；Pc=100W（加足够散热器）

所以：J13009可以代换SB13003，可是要看具体应用。但SB13003不能代换J13009

4、13003是什么三极管

13003为中功率NPN型晶体管,主要作为电源开关管用。

NPN晶体管是晶体管的一种，当基极b点电位高于发射极e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而集电极C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。

制造工艺设计

1、首先在ATHENA中定义0.8um*1.0um的硅区域作为基底，掺杂为均匀的砷杂质，浓度为2.0e16/cm3，然后在基底上注入能量为18ev，浓度为4.5e15/cm3的掺杂杂质硼，退火，淀积一层厚度为0.3um的多晶硅，

淀积过后，马上进行多晶硅掺杂，掺杂为能量50ev，浓度7.5e15/cm3的砷杂质，接着进行多晶硅栅的刻蚀（刻蚀位置在0.2um处）此时形成N++型杂质（发射区）。

刻蚀后进行多晶氧化，由于氧化是在一个图形化（即非平面）以及没有损伤的多晶上进行的，所以使用的模型将会是fermi以及compress，进行氧化工艺步骤时分别在干氧和氮的气氛下进行退火，接着进行离子注入

注入能量18ev，浓度2.5e13/cm3的杂质硼，随后进行侧墙氧化层淀积并进行刻蚀，再一次注入硼，能量30ev，浓度1.0e15/cm3，形成P+杂质（基区）并作一次镜像处理即可形成完整NPN结构，最后淀积铝电极 。\u2002

来源：百度百科-NPN型晶体管

5、三极管13002B与13003能否代换

从参数去看是不可以的 ，但是原来的13003工作电路图的工作电压不超过13002的耐压值、电流不超过1A，就可以换。只要CE的工作电流峰值不超过1A就完全可代换。

三极管13002B参数介绍：

三极管13003参数介绍：